Marca: SYSCOM
Modelo: IRF-640
Características:
- MOSFET canal N para alta eficiencia energética
- Soporta 200V para aplicaciones de alto voltaje
- Capacidad de corriente hasta 18 amperios
- Disipación de potencia máxima de 125 watt
- Empaque TO-220AB para fácil montaje
- Diseñado para conmutación de alta velocidad
Ficha técnica:
IRF640
